击穿电压和导通电压（击穿电压的概念）

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什么叫PN结、正向导通、正偏电压、反偏电压?有没有遇到8V以上的电压...

PN结是一种特殊的结构，它是在一块半导体材料上将P型半导体和N型半导体结合而成的。当P区连接到正电压，N区连接到负电压，两者之间的电位差达到一定值时，电流可以从P区流向N区，这种现象被称为正向导通。此时的连接方式被称为正偏。值得注意的是，PN结的正向导通电压通常小于1V。

PN结是P型半导体和N型半导体制作在一块半导体材料上时在其交界面形成的的一个区域。当P区接正电压、N区接负电压并达到一定值时，电流可从P区流向N区，这就是正向导通。这样接法就是正偏，PN结正向导通电压小于1V。

正偏、反偏是对于PN结而言的。在开关电路中，三极管工作在饱和导通族雹前与截止两种状态。正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致，即饱和状态，就是两个P-N结都处于正偏的导通状态；截止状态，就是两个P-N结都处兆清于反偏的截止状态。

pn结的正偏指p端的电势相对n端的要高。比如2V对1V ，1V对0V，0V对－1V等 正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过pn结的导通电压，形成电流通路，也就是你说的硅管正向导通电压0.7V，而锗管的是0.3V左右。

PN结正偏的含意：（1）、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。（2）、在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

所说的正向袭闭导通，就是在PN结的P区加高电位，N区加低电位，PN结就会导通，对于三极管来说，不管是什么型的，不管是哪个结，只要P区加上高于N区的电位（硅管高0．7，锗管高0．3）就为正偏。

二极管的击穿电压怎么看

二极管的击穿电压是指当二极管两端的反向电压增大到一定程度时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性。 二极管在正向偏置下工作，即正极连接到高电位，负极连接到低电位。在这种状态下，二极管导通，正向压降基本保持不变，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

C检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多（约高一倍）。

在使用二极管时，尤其是在整流等应用场合，我们主要关注三个参数：首先是正向导通压降，其次是正向导通后的最大电流，最后是反向击穿电压。对于发光二极管，一般在电流达到10mA时就已经相当亮了。

就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。

输入的电压使二极管未导通,那二极管两端电压为多少,若导通,二极管两端...

你好： ——★根据二极管的特性，其实二极管也有 “击穿电压” 的，只不过叫法不同，就是通常我们所说的二极管 “导通电压” 。 ——★硅二极管的击穿电压（导通电压）大约为 0.7V 左右：当二极管的正向电压低于 0.7V 时，二极管是截止的。

二极管的导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。 正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

二极管的正极接电源的正极，另一端负极端不接，二极管未导通（电阻较大），则在二极管的负极端理论上应该接近5V。

pn结反偏的特征

1、pn结正向存在一个导通电压，反向存在一个击穿电压，所加正向电压小于导通电压时pn结呈现很大的电阻，即通过的电流很小，一旦高于导通电压，正向电流迅速增加；在反向时同样在所加反向电压小于击穿电压时，反向电流很小，当一旦高于击穿电压时，反向电流即迅速增加。

2、PN结具有特定的电压特性：正向存在一个导通电压，而反向存在一个击穿电压。当施加的正向电压小于导通电压时，PN结表现出极大的电阻，即通过的电流极小。一旦电压超过导通电压，正向电流会迅速增加。

3、PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；PN结反偏时截止，呈现很大的电阻，反向电流近似为零。通常的说法是在不加外电压时，这个PN结中P区的多子是空穴，N区的多子是电子（通常只考虑多子），因为浓度差，载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前，P区与N区的正负电荷是相等的，呈电中性。

理想二极管有什么特点

1、理想二极管的特点 （1）门槛电压 理想二极管没有阈值电压。一旦在二极管上施加任何正向电压，它将立即在其结之间传导电流。（2）正向电流 理想二极管在端子上施加任何正向电压时都包括无限的正向电流。这是由于理想条件，二极管的内部电阻将为零。理想的二极管完全没有内部电阻。

2、理想二极管的特点包括： 单向导电性：理想二极管仅在正向偏置时导电。

3、理想二极管的特点主要体现在以下几个方面：理想的开关特性：理想二极管在正向偏压下的导通电阻极小，能够实现电流的顺畅流通，类似于电路的“开”状态；而在反向偏压下，其电阻极大，几乎完全阻断电流，类似于电路的“关”状态。这种开关特性使得电路能够实现各种复杂的控制功能。

二极管的击穿电压是什么?

1、二极管的击穿电压是指当二极管两端的反向电压增大到一定程度时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性。 二极管在正向偏置下工作，即正极连接到高电位，负极连接到低电位。在这种状态下，二极管导通，正向压降基本保持不变，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

2、就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

3、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。

4、引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

5、二极管相当于一根导线，允许电流通过。然而，这个电流有一个极限值，即正向导通电流的最大值。当二极管处于反向截止状态时，它相当于一个开关处于断开状态。但是，反向电压并不是无限大的，当反向电压增加到一定程度时，二极管可能会被击穿。这个导致二极管击穿的临界反向电压值被称为反向击穿电压。