电压vbe（电压VBE与发射结面积A的关系）

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电路中be是什么意思?

BE在电路图中表示一种线路敷设方式，即沿屋架或跨屋架敷设。敷设指线管或线缆由一处至另一处之间的安装方式。电路图中不同敷设方式的英文缩写如下：SR：沿钢线槽敷设。CLE：沿柱或跨柱敷设。WE：沿墙面敷设。CE：沿天棚面或顶棚面敷设。ACE：在能进入人的吊顶内敷设。BC：暗敷设在梁内。

在电路中，be通常指的是双极晶体管（BJT）的基极和发射极之间的电压，即其基极电压（Vbe）。BJT是一种电子元件，广泛应用于放大和开关电路中。在放大电路中，Vbe决定了BJT的放大系数，因此对于设计师来说，精确测量和控制Vbe是非常重要的。

通常电力传输是以三相四线的方式，三相电的三根头称为相线，三相电的三根尾连接在一起称中性线N也叫零线。按我国现行标准，GB2681中第3条依导线颜色标志电路时，一般应该是相线－A相黄色，B相绿色，C相红色。

BE电压也被称为基极发射电压，是指在晶体管发射极和基极之间的电压。为了让晶体管正常工作，需要将BE电压控制在合适的范围内，通常是0.6-0.7V。如果BE电压太低，晶体管就无法正常导通；如果BE电压太高，晶体管就会损坏或失效。因此，BE电压是晶体管工作的重要参数之一。

基本晶体管正常工作时各极电压是怎样变化的?

当基本晶体管正常工作时，各极电压会发生如下变化：基极电压（Vbe）：当基极与发射极之间存在电压时（通常称为偏置电压），会使得电流从基极向发射极流动，此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。

在放大状态下，基极与发射极之间的电压通常维持在约0.7伏特，这是一个相对稳定的值，称为PN结的正向导通电压。这个电压是使基极电流开始流动的最小电压，也是晶体管开始工作的门槛。集电极与发射极之间的电压则根据晶体管的工作状态和外部电路条件而变化。

首先纠正你的说法：“当Ib增大时，Ue就减小.Ib减小，Ue增大”，不是Ue，而是Uce。是集电极到发射极的电压。你说的这种变化关系是有条件的：是集电极必须有一个负载电阻Rc，这种关系才成立。Rc两端电压表示为URc，因为Uce+URc=Ucc，Ucc是电源电压。

在正常工作条件下，硅晶体管的发射结正偏，集电结反偏。 当基极电压高于发射机电压0.7V时，发射结处于正偏，而集电极电压低于基极，导致集电结也处于正偏状态。因此，图1中的三极管工作在饱和状态。 如果发射结反偏，则三极管处于截止状态，如图2所示。

集电极与发射极之间的电压变得非常低。这种情况下，三极管失去了电流放大作用，集电极与发射极之间的关系类似于开关的导通状态，我们称其为饱和导通状态。在电子维修过程中，通过测量三极管各脚的电压，电子维修人员能够准确判断三极管的工作状态，这是他们判断和诊断电路问题的重要依据。

求三极管各极电压计算公式

下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。

这里，Ube代表的是基极与发射极之间的电压，通常对于硅管而言，Ube大约为0.7V。Ubc（基极与集电极之间的电压）则与Ucb相对，但其计算方式有所不同。在理想情况下，Ubc可近似为0V，但在实际操作中，由于电流流经集电极电阻Rc，Ubc可能会有轻微的正向偏置，即Ubc0V。

Ubc=-0.2-（-5）=8V Ube=-0.2-0=-0.2V NPN Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。

vbe是什么意思物理?

在物理领域中，VBE是一个常见的术语，它代表了二极管（晶体管）的基本电压。VBE在电子学中非常重要，因为它可用于确定电路元件间电流的大小。同时，VBE也与晶体管的放大倍数有关，因此被广泛应用于电子电路设计和制造领域。

闭合电路中，由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压（Thermalvoltage）。也称为温度的电压当量。电学中常用的热电压VT＝kT／q，具有正的温度系数。而三极管的BE结电压VBE具有负的温度系数，二者的平衡可以产生一个在某一温度下温度系数为零的基准电压。

从原理上讲，这是一个固体物理和半导体物理的问题，至少需要学习一下半导体物理才能真正理解。

基极与发射极之间的电压VBE，我们把它等效为一个二极管，导通电压为0、6~0、7V，并且需要从外部提供相应的电压VBIAS。当交流（信号）电压源变化时，基极电阻RB上基极电流IB（A）发生变化，从而引起集电极电流IC（A）也发生变化。IC=hFE*IB 这是电流“控制”的关系式。

三极管能否导通，不是看基极电压是几V，而是基极和发射极之间的压差，也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键：发射结正偏，集电结反偏。基极：基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。

那三极管Vbe的变化到底是怎样啊

放大电路中，三极管VBE是变化的。当三极管处于饱和状态的时候VBE是固定的，但是Ib是可以变化的。静态时，电路中只有直流电源VCC作用，三极管各极电流和极间电压都是直流值，电容CC2相当于开路，该电路称为直流通路。

由于材料的特性和制造工艺的差异，半导体三极管的直流放大系数β并不是一条直线，也就是说，随着基极电流的变化，β也有少量变化，尤其在Ib较小时，β也较小，因此，设置三极管的工作点时一般都安排在β曲线的较平坦的区域，这样的区域就是说明书中提供β的直流测试参数。

NPN（饱和）：Vbe=0.7V，Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）：Veb=0.3V，Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。

Vbe增大，Ib增大，由于三极管有电流放大能力，所以IC增大，这个你应该知道。所以在负载电阻RC上的压降就变大了。所以电源电压减去RC两端的电压就变小了。Uc=VCC-RC*IC.所以UC就变小了。Ue=RE*IC.，所以Ue变大。

三极管的Vce和Vbe有什么关系吗?

1、Vce和Vbe是两个不同的值：在说明资料中给出的数据Vce通常是指三极管的最大工作电压（C极和E极之间）； 在实际电路中Vce通常是三极管的实际工作电压（C极和E极之间）。而Vbe是指三极管的b极偏压。

2、vbe为基级与发射级间电压；vce为发射级与集电极间电压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

3、收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。

关键词：电压vbe