硅管的导通电压是多少（硅管的导通压降为 v）

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请问三极管(此处指硅管)导通后的集电极电压是多少?

1、当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。

2、PNP型三极管则相反，集电极Vc的电压最低，发射极Ve的电压最高，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Vc低0.7伏或0.2伏。

3、硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。

硅管的导通电压是多少?为什么?

1、硅管的导通电压通常设定为0.7V，这一数值取决于硅半导体材料的掺杂浓度及其制造工艺。 在硅杂质半导体中，PN结的内建电场电压约为0.7V，因此，为了使硅管导通，需要施加一个反向电压，其值也通常是0.7V。

2、导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。

3、对于硅管而言，这个值通常在0.5到0.7伏之间，而锗管的导通电压则在0.2到0.3伏之间。这意味着，当外加电压低于这些数值时，硅管和锗管都处于截止状态，即电流无法通过。一旦电压超过这些数值，三极管就会开始导通，电流通过其基极-发射极之间的路径，实现信号的放大或开关功能。

4、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

硅管与锗管的区别在那里?

材料本身：锗管使用的是锗（Ge）这种半导体材料，而硅管使用的是硅（Si）这种半导体材料。 导电性能：锗管的导电性能比硅管好，即使在高温环境下，锗管的导电性能也能保持良好。但是锗管的噪音比硅管大。 制造难度：锗管的制造比硅管难度大，而且成本更高。

导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。

根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。

半导体二极管(硅管)的导通电压是多少

半导体二极管的导通电压在不同的类型间存在显著差异。锗二极管的正向导通电压范围为0.2至0.3伏特，而硅二极管则为0.5至0.7伏特，适用于一般用途。硅整流管的导通电压稍高，大约在1至2伏特之间。相比之下，肖特基二极管的导通电压较低，大致在0.3至1伏特范围内。

正向导通电压，锗二极管大概是0.2~0.3V。普通硅二极管大概是0.5~0.7V。硅整流管大概是1~2V。肖特基二极管大概是0.3V~1V。导通电流在导通过程中，电流是一个变化值，所以不存在固定的导通电流值。一般以额定正向工作电流值作为基本参数。

硅管：硅二极管的导通电压通常在0.6-0.7伏特之间，这是硅的固有性质决定的。硅管的稳压性能优秀，具有较高的反向电压和温度特性良好。此外，硅二极管的结电容小，频率特性好。 锗管：锗二极管的导通电压较低，一般在0.2-0.3伏特之间。

当Va很小时，Id很小，近似认为没有电流，二级管是截止的；当va增加到id较为明显时（人为规定的，如1mA）时认为它导通，称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加，所以计算出的VF较小。

锗二极管的导通压降在0.15-0.2V，硅二极管的导通压降在0.5-0.7V，肖特基二极管的导通压降在0.2-0.3V。顺便说一下，二极管的导通压降跟流过它的电流有关，流过的电流越大，该压降也越大。

三极管中硅管和锗管的区别有哪些?

1、三极管中的硅管与锗管在多个方面存在差异： 导通电压：硅管的导通电压约为0.65伏特，而锗管的导通电压在0.2至0.3伏特之间。 正向电阻：硅管的正向电阻较大，通常在几千欧姆，而锗管的正向电阻则在几百欧姆左右。 热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。

2、三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、早期的晶体管多数是由锗单晶制成的，包括二极管和三极管。后来随着硅材料及其制造工艺的解决使得硅管得到发展和普及应用。其主要区别是结压降不同，锗管的正向压降较低约0.3伏特，硅管的正向压降较高约0.7伏特。另外，由于硅材料资源广和制造工艺适宜大规模生产所以得到广泛使用而成为电子器件的主角。

4、区分三极管是硅管还是锗管的两种方法：让该管工作在放大状态，测Vbe电压（基极与发射极的电压），如果电压Vbe=0.3V则是锗管，如果Vbe=0.7V则是硅管。看型号上标明的是硅管还是锗管。三极管的工作原理如下：半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

5、制造NPN的硅管比PNP的要容易得多，而锗管是PNP要比NPN容易，因此，市面上的NPN硅管比PNP多得多，而PNP的锗管要比NPN的多得多，尤以锗管为甚。凭此，当拿到一个与众不同的管子时（以前的锗管基本都是金属外壳园柱型封装直径5mm长10mm三个脚的），基本可按PNP锗管来测。

6、用万用表测量：硅管反向电阻大，锗管反向电阻相对小。用JT仪器测量：硅管正向电压为0.7V，锗管正向电压为0.3V。

硅的死区电压和导通电压分别是多少V

1、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。

2、三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

3、硅二极管的死区电压通常为0.5伏，这是指二极管从截止状态转换到导通状态所需的最小正向电压。当二极管的正向电压达到0.7伏时，二极管开始导通，此时的电压被称为导通压降。相比之下，锗二极管的死区电压较低，一般为0.1伏。这意味着锗二极管在较低的正向电压下就能从截止状态转变为导通状态。

4、Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。