mos电流电压（mos是电流控制还是电压控制）

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MOS开关电路

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。也可以用IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。PWM MOS管驱动实际是将PWM信号经过MOS进行功率放大，将PWM信号变成具备一定功率输出或有一定电流灌入能力的PWM波形。

MOS管作为一种开关元件，其工作状态同样限于截止或导通两种模式。作为电压控制元件，MOS管的工作状态主要受栅源电压uGS的影响。当MOS管在导通和截止状态之间转换时，会经历一个过渡阶段，这一过程与电路中的杂散电容充放电时间有关。

mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。

常见的PWM MOSFET驱动电路包括PWM MOSFET底部驱动、半桥输出、H桥输出和三相全桥输出。常见的PWM驱动MOSFET开关电路包括： 单个MOSFET的常规驱动方式，例如增强型NMOSFET，通常只需在其栅极上串联一个电阻进行限流。

mos开通为什么电流先增大电压再减小

1、导电沟道靠近漏极侧的沟道渐渐变宽，从而使沟道的导通电阻降低。电流大了，mos管压降增大，tsp增高，导致Q6输出电压降低。

2、MOS管导通时的电压降与导通电阻Rds（on）的大小有关，设计电路时需考虑此因素以确保性能稳定。导通电阻是MOS管在导通状态下的电阻值，导通电流通过时会形成电压降，造成源极与漏极电压差异。影响导通电压降的因素有三个：导通电阻、导通电流大小和温度变化。

3、阈值越高，饱和电流越小。因为阈值电压越高，饱和电流变小，所以速度性能越高，但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。所以mos电压越高，饱和电流越小。器件的阈值电压会随着沟道长度变小而变小，而饱和电流会随着沟道长度的变小而增大。

4、因为mos有降频效果。MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。

5、温度的变化对MOS管导通电阻有着显著的影响，进而间接影响压降。高温可能会导致电阻增大，压降上升，反之亦然。在实际应用中，必须考虑到环境温度变化对压降的潜在影响。

mos管导通条件

1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

2、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

3、对于NMOS，当Vg减Vs大于Vgs（th）时，MOS管导通G极和S极的差大于一定值，MOS管会导通，不能大太多，Vgs（th）和别的参数需要看MOS管的SPEC。

4、n沟道mos管导通条件 导通时序可分为to~tt1~tt2~tt3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。

5、当MOS管的栅极电压大于0V时，MOS管可以导通。详细 MOS管的基本工作原理 MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。

6、PMOS增强型管：uG-uS0 ， 且 |uG-uS||uGS（th）| ， uGS|th|是开启电压；NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS（th）| ，uGS|th|是开启电压；PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

MOS导通电压

1、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。

2、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

3、MOS管导通时的电压降与导通电阻Rds（on）的大小有关，设计电路时需考虑此因素以确保性能稳定。导通电阻是MOS管在导通状态下的电阻值，导通电流通过时会形成电压降，造成源极与漏极电压差异。影响导通电压降的因素有三个：导通电阻、导通电流大小和温度变化。

4、以IRF540NPbF功率管为例，其最大漏极源极导通电阻为44毫欧姆（44mΩ），当栅极电压（VGS）为10伏特，且通过的电流为20安培时，导通压降可以通过简单的计算得出：20A * 0.044Ω = 0.88V。这意味着，当漏极电压为20伏特时，源极对地电压为：20V - 0.88V = 112V。

5、当MOS管的栅极电压大于0V时，MOS管可以导通。详细 MOS管的基本工作原理 MOS管，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流的器件。它的核心结构是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成的。

关键词：mos电流电压