bulk电压（buck电路电压）

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怎么样调节开关电源的通导时间

如果工作在CCM模式下，D=NVo/（Vin+NVo），Ton=D*T，所以导通时间只与Bulk电容电压，也就是输入电压，以及圈比有关，输出电压一般都是恒定的。如果工作在DCM模式下，V=L*di/dt，所以导通时间与电流peak值有关，电流peak值域输出功率有关，导通时间同样也于输入电压有关。

因为整流桥的导通角是0-180° ，一个周期是20mS， 半波的周期是10mS，又因为整流桥后面的大电容。所以整流桥并不是时时刻刻是导通的，只有在波峰与波谷才导通，也就是说只有在半波中的最高点那一段时间才有电流流过。 这个时间大概就是3mS 。

在设计开关电源时，PWM频率通常保持恒定，例如，若频率固定，50%的占空比意味着开关器件导通和截止的时间各占一个周期的半。若目标输出电压为2-20V范围内，可以通过调整占空比至中间值11V对应的55%来实现。

第三，加强散热措施，如增加散热片、提高通风量等，降低设备温度，减少吱吱声的产生。最后，如果以上措施无效，可能是开关电源模块本身存在问题，这时可以考虑更换合格、质量可靠的模块。假设有一台使用494开关电源的设备，在输入电压过低时产生了吱吱声。通过采取上述解决方案，可以对该设备进行改进。

具体来说，开关电源的工作原理是通过控制开关的开启和关闭频率来调节输出电压。当频率提高时，开关的开启和关闭速度加快，使得电感和电容在更短的时间内完成充电和放电，从而减少了电能的存储时间。

单激电源开关管耐压多少

目前的电源技术的发展方向就是MOS管和IGBT取代普通开关管的。高耐压型的MOS管也能做到1KV以上了，配合适当的外围电路，能够稳定可靠的工作。常见的单管电源方案如UC3842等，都是专为MOS管电源设计的。

漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

开关电源要过UL认证耐压需要打3KV；UL是美国保险商试验所（Underwriter Laboratories Inc.）的简写。UL安全试验所是美国最有权威的，也是世界上从事安全试验和鉴定的较大的民间机构。 它是一个独立的、营利的、为公共安全做试验的专业机构。

Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易计算。

V输入。那么这个电压整流滤波后的电压是315V，所以应该选额定耐压400V－600V的开关管，因为额定耐压400V的开关管的最大耐压可以达到800V。600V的最大耐压可以达到1200V。电流呢就要看你做这个产品的档次和散热方式和条件。一个100W的开关电源，平均工作电流是0.5A左右。一般选5倍到20倍。

t106d1基本参数

在电流性能上，开启状态的RMS电流It RMS为4安培，而保持电流Ih的最大值为5毫安。这些数据表明t106d1在持续工作和短暂峰值期间都能提供稳定的电流输出。封装方面，t106d1采用Bulk封装，具有良好的散热性能，工作温度范围为-40°C至+110°C，适应了广泛的环境条件。

bulk电路原理是什么

1、Bulk电路是一种电路，它使用一个大电容器来存储电能，并在需要时将其释放出来。它的工作原理是，当电源提供的电压达到一定的阈值时，电容器就会被充满电，当电压降低到一定的阈值时，电容器就会放出电能。这种电路可以用来提供短暂的高电压，以便在短时间内提供大量的电能。

2、MOS管是现代集成电路的核心单元，其工作原理是关键。下图展示了一个NMOS的剖面，可以看到，MOS管有四个端口：源极（S）、漏极（D）、栅极（G）和衬底（Bulk）。P型衬底上加工了两个N型掺杂区域，通过金属引出。在硅衬底上覆盖了二氧化硅栅氧层，多晶硅作为栅极。

3、第一是与旁路电容相似的功能，旁路掉器件输出的高频噪声；第二是充当储能电容，在负载所需电流突然增大时提供电能，满足驱动电路的电流变化。

4、根据其工作原理，它可分为隔离式和非隔离式两种类型。对于输入电压较低且需要降压输出的情况，Bulk电路是适用的选择，它由PWM芯片、MOSFET和电感组成，形成了一种隔离的解决方案。在隔离式设计中，PWM芯片与外部电路相连，包括输出电压检测电路和过压、过流保护电路，这些保护机制确保了系统的稳定运行。

5、去藕电容和旁路电容 去藕电容就是起到一个小电池的作用，满足电路中电流的变化，避免相互间的耦合干扰。关于这个的理解可以参考电源掉电，Bulk电容的计算，这是与之类似的。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频噪声旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。

WAT电性参数介绍

1、电性参数是集成电路设计与制造过程中至关重要的指标，本文将详细介绍WAT技术中的关键电性参数。首先，Spacing（Bridge，short）参数定义了在制造过程中，同层或同层间的绝缘能力。测量方法涉及在导线上施加1uA电流，若存在短路，则测得的电压值会低于7伏特。

2、什么是WAT？Wafer Acceptance Test，简称WAT，是半导体行业中的术语，主要用于描述对晶圆进行的接受测试。WAT在晶圆制造流程中扮演着重要角色，其目的是检测晶圆的工艺情况，评估产品质量与稳定性，判断是否符合特定的电性规格要求。在晶圆流片完成后，WAT测试用于测量特定测试结构的电性参数。

3、芯片在出厂前进行各项检测，包含WAT，即晶圆接受测试。WAT包含使用器件参数的量测，如电阻、MOS电容值和MOSFET特性等。这些参数反映工艺是否正常，掌握工艺对电性的影响是制程研发的关键。了解芯片制造流程，芯片制造工序达到上千道，集成电路技术密集型和资金密集型。集成电路制造关注良率、可靠性等。

4、WAT（Wafer Acceptance Test）或PCM（Process Control Monitoring），是在晶圆制造阶段对特定的测试键（Test Key）进行电性参数的检测，以监控工艺流程的稳定性和可靠性。例如，对CMOS晶圆的电容、电阻、接触点和金属线路等进行测试。

5、WAT工艺控制监测，晶圆产品流片结束后的电性参数测量，其目的是检测工艺情况、评估制造过程质量与稳定性，确保晶圆符合电性规格。集成电路复杂设计要求全面检测，包含原物料检验、晶圆前段、后段工艺监控、WAT、CP测试、封装工艺、FT与SLT等。WAT覆盖大部分器件参数，如电阻、MOS电容、MOSFET特性。

6、WAT的核心任务是在晶圆切割道（Scribe Line）上的特殊测试结构（Test Structure）上，对MOSFET、BJT、电阻和电容等器件进行电性能参数的测试，以此构建Device Modeling，优化生产工艺。通过严谨的数据收集和分析，WAT不仅能实时监控生产质量，还能预警和纠正任何工艺偏差，确保产品质量的稳定交付。

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