硅的开启电压（硅的开启电压多少）
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npn硅三极管的开启电压是多少
硅半导体PN结的伏安特性曲线是一条类似于I=U*U（向下稍有平移）的二次曲线（如图），它的初始导通电压其实并不到0.7V，0.7V是充分导通状态了，通常工作在放大状态下的三极管的基极电流很小，发射结达不到充分导通状态，当发射结进入充分导通状态时，三极管可能进入饱和状态了。
硅管：NPN，基极大于发射极0.7V，但实际使用0.5V左右就导通了 PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
MJE13003是一种NPN硅三极管，适用于小功率开关电源的开关管位置。它具备700V的耐压能力和5A的电流容量，确保在开关电源中稳定工作。具体参数方面，MJE13003的最大集电极-发射极电压（VCEO）为700V，集电极电流（ICM）可达5A。
二极管的起始电压是指什么?
1、恒流二极管的主要参数包括恒定电流（IH）、起始电压（VS）、正向击穿电压（V（BO）、动态阻抗（ZH）和电流温度系数（αT）。恒定电流通常在0.2到6毫安之间。起始电压表示管子进入恒流区所需的最小电压，通常为30到100伏特。动态阻抗定义为工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，要求ZH值越大越好。
2、你说的应该是二极管的开启电压吧？二极管的开启电压指的是刚刚能使二极管开始导通的临界电压。一般硅管的开启电压约是0.5V，锗管约为0.1V。
3、起始电压表示管子进入恒流区所需要的最小电压。恒流二极管的正向击穿电压通常为30～100V。动态阻抗的定义是工作电压变化量与恒定电流值变化量之比，对恒流管的要求是ZH愈大愈好，当IH较小时ZH可达数兆欧，IH较大时ZH降至数百千欧。
4、二极管的开启电压就是正向电流增大（一般规定为1mA）时的正向电压。一般考试不会很为难你的话，他会把图上第一象限的起始部分画的非常接近X轴，然后电流突然开始增加。
双极型晶体管特点
场效应管具有较好的温度稳定性、抗辐射性和低噪声性能。在双极型晶体管中，少数载流子数量受温度和辐射的影响较大，造成管子工作的不稳定。（4）场效应管的源极和漏极结构对称，使用时两极可以互换。
p双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电，与场效应晶体管相比，其开关速度较慢，输入阻抗较低，功耗也相对较大。
总的来说，双极性晶体管和单结晶体管在设计、结构和应用方面存在显著差异。双极性晶体管更适合于需要精确控制电流和电压的放大和开关应用，而单结晶体管则因其独特的弛张振荡特性，在特定的电路设计中表现出色。
双极性晶体管具有放大信号、较好的功率控制、高速工作和耐久能力等优点，常用于构成放大器电路，驱动扬声器、电动机等设备。它们广泛应用于航空航天工程、医疗器械、机器人等应用产品中。
双极性晶体管，特别是NPN型，可以被视为共用阳极的两个二极管结合。其正常工作状态下，发射结正向偏置，而集电结则反向偏置。在无外加电压时，发射结的N区电子浓度高于P区，电子向P区扩散，同时P区空穴向N区扩散，形成空间电荷区，产生内在电场，阻止扩散过程进一步发生。
可控硅的触发电压是多少?
可控硅的触发电压一般是0.8到5V，因为型号繁多，具体参数可以查询手册。单相通用型可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器，其核心部件采用国外生产的高性能、高可靠性的军品级可控硅触发专用集成电路。
触发电压是有要求的，导通前他要过两个PN结的电压，大概4-5V，触发电流20-40MA，一旦导通，触发脚只有0.2V左右了。可控硅是可控硅整流器的简称。
a可控硅的触发电压一般在0.5V左右。110a可控硅的触发电压一般在0.5V左右是因为在正常工作状态下，可控硅的阳极电压会随着控制极（即门极）的电压变化而变化。当控制极的电压超过一定阈值时，可控硅就会被触发，从而导通。
可控硅的触发电压通常在1至2伏之间，具体数值需要参考相关手册。这种半导体器件是可控硅整流元件的简称，具有三个PN结，属于四层结构的大功率半导体器件，也被称为晶闸管。
该可控硅触发电压是5伏。双向可控硅DB3导通以后电压急速下降（伏安特性曲线决定的）不会击穿可控硅。双向可控硅调压直流双路电源电路，元件参数：整流桥500伏2安，保险丝1安培。R=100K，W=470K，C=0.22微法，触发二极管DB3，双向可控硅BCR5AM6A500V。
