半导体极管的导通电压（半导体二极管电流方向）
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三极管的导通条件
三极管导通条件分两种情况：对于NPN型三极管，一般的处于放大区的条件是Uc大于Ub大于Ue，并且Ub和Ue之间的电压差要大于发射结的初始导通电压即可导通；对于PNP型三极管，情况正好相反，处于放大区的条件是Uc小于Ub小于Ue，Ub和Ue之间的电压差同样要大于发射结的初始导通电压即可导通。
导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
集电极与基极间正向偏置：同时确保集电极与基极之间的电压也为正，且大于一定的电压阈值。当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。PNP三极管：基极与发射极间负向偏置：使得基极与发射极之间的电压为负，并且小于一定的电压阈值（通常约为-0.7V）。
在半导体中导通电压与开启电压有啥区别
1、在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。
2、开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。
3、半导体材料。半导体开启电压是指二极管在正向导通时二极管两端的电压，这个电压的产生是由于PN结势垒存在一定高度的缘故。对于不同的半导体材料，PN结势垒高度不同，则开启电压也就不一样。
4、就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
mos管的栅极电压大于0v时就可以导通
1、MOS管的导通状态主要取决于栅极电压的大小。当栅极电压大于0V时，即栅极相对于源极的电压为正时，会在半导体基底中形成一个导电沟道，使得漏极和源极之间的电流可以流通，此时MOS管处于导通状态。栅极电压越高，导电沟道的宽度越大，通过的电流也就越大。
2、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
3、电压：MOSFET的导通电压为VGS，即栅极加正电压（VD），由于MOS管是场效应晶体管，其输入电阻很小，只要VGS大于VD就可以使MOSFET导通。
4、工作是什么意思？就是起作用，起到我们想要它实现得功能得作用，当然就是导通得意思。从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
5、实际使用的时候，要想使其可靠截止，尽可能将VGS保持0或反向电压，即N沟道，VGS≤0V，P沟道≥0V。
MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?
1、MOS场效应管是一种常见的半导体器件，特别是N沟道MOS管，其能够承受的最大电压为75伏，最大电流为300安。在实际应用中，为了确保器件的安全与性能，工作电压不应超过75伏。MOS管的三个主要电极分别是源极、栅极和漏极。这些电极之间的电压关系对器件性能至关重要。栅极电压直接影响着MOS管的导通状态。
2、这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识： 栅极悬空是不允许的，会击穿。
3、mos栅极电压最好要在12V左右，这个电压月底，导通损耗越大。直接用3V或者5V驱动不会完全导通，一般最小不要小于8V。那么mos管导通。栅极的正电压推出来一天道来让源极和漏极相通。
4、mos管一般的开启电压在2-4v，为保证可靠的完全导通，需要5v以上。最多不能超过20V。
5、大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压（±20V）。如果超过这个限制，器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻，并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断，器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极，引起栅极电压超限的问题。
