mos管电压击穿电压（mos管上电击穿）
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mos管的击穿电压是多少
MOS管的击穿电压与其制造工艺、材料质量以及结构设计密切相关。不同的MOS管型号会有不同的击穿电压规格。例如，一些高压MOS管可能具有数百甚至上千伏的击穿电压，而一些低压MOS管可能只有几十伏的击穿电压。因此，在选择MOS管时，必须根据具体的应用场景和电压需求来选择合适的型号。
过去的MOS管击穿电压一般都只有10几V，很容易就击穿了，而现在MOS管的击穿电压很多都到上百V了，只要不是静电太厉害的，问题都不大。当然，如果是做产品，很多企业有严格规定，不能随便摸得。你要拆东西，也问题不大，操作之间，摸一下水龙头等金属体，把静电电荷泄放一些掉即可，一般问题不大。
直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
Vgs： 最大GS电压，一般为-20V~+20V。Idm：最大脉冲DS电流，会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系。Pd：最大耗散功率。Tj：最大工作结温，通常为150度和175度。Tstg：最大存储温度。Iar：雪崩电流。Ear：重复雪崩击穿能量。Eas：单次脉冲雪崩击穿能量。BVdss：DS击穿电压。
所以，G极就是控制极；要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。
mos管的主要参数
1、漏源电压（VDSS）：此参数确保MOS管在正常工作条件下不会因电流过大而损坏，起到了一道安全屏障的作用。 栅源电压（VGS）：保护栅极氧化层，防止过电压损坏，确保栅极控制的精确性。 连续漏电流（ID）：电路性能的直接指标，受结温限制，对散热设计有重要影响。
2、极限参数是确保MOS管不损坏的最低要求，也称为最大额定值，超过这些极限值时，MOS管就可能失效损坏，主要参数有：漏源电压Vds，栅源电压Vgs，连续漏极电流Id，瞬时漏极电流Idm，功耗Pd，结温Tj。
3、- VGS： 最大栅源电压，通常在-20V~+20V之间。- Tj： 最大工作结温，通常为150℃或175℃，设计工作条件时需避免超过此温度并留裕量。- TSTG： 存储温度范围。 静态参数 - V（BR）DSS： 漏源击穿电压。场效应管正常工作时能承受的最大漏源电压，为极限参数，加压应小于V（BR）DSS。
4、MOS管的重要参数包括耐压值和额定电流值，这些是描述其性能的基础参数。 除了基础参数外，MOS管的其他关键参数还包括导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。 在参考MOS管的电流参数时，应当注意厂家提供的连续电流、短时电流和峰值电流等信息。
MOS管电压型静电击穿特点
1、电压型静电击穿发生在MOS管栅极的薄氧化层发生击穿，导致栅极与源极或栅极与漏极之间形成短路。其特点如下：（1）击穿点软，击穿过程中电流逐渐增大。这是因为耗尽层扩展较宽，产生电流较大。同时，耗尽层的扩展还容易引发DIBL效应，导致源衬底结正偏时电流逐渐增大。
2、针对MOS管被击穿的原因，主要有以下几点：1） 输入电阻高、栅源极间电容小，导致MOS管容易受到静电感应和电压冲击；2） 没有在MOS电路输入端适当加入保护二极管或保护电阻，以限制可能过大的瞬态输入电流；3） 保护电路的瞬态能量吸收能力有限，对过高的静电电压或大信号无能为力。
3、MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
4、MOS管击穿后会引发一系列严重问题。在缺乏有效限流措施的情况下，一旦击穿，MOS管不仅会因过热而损坏，还可能导致物理上的破裂，产生异常声响，如“砰”的一声。MOS管容易被击穿的原因主要在于其高输入电阻和极小的栅-源极间电容。
