结电压是开启电压吗（结点电压适用于什么电路）

频道：其他日期：2025-03-06 14:04:54 浏览：11

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1、ubeUon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。当然这个图不是完全正确，但不影响这个问题的分析。

2、三极管的电子走向是电子从发射极出发到达发射结后发射到基极，然后通过基极运输到集电结收集，最后达到集电极成为集电极电流。

3、以NPN管为例。你已经知道，在BJT中，当线性放大时，发射极与基极之间的PN结（发射结）是正偏的，电子流自发射区流入基区，是多子的扩散电流（即正向电流）；但电子进入基区后，少部分与基区的空穴复合，形成基极电流，大部分在基区积累，成为基区的少子。

4、在三极管饱和状态下，集电极对发射极的电压仍为正值，电流方向自然不会反转。饱和状态下的集电结正偏数值，总是小于发射结正偏电压，因此达不到PN结的死区电压，因此即使基极电压略高于集电极电压，也不能产生电流。因此，原有电流继续维持，“正偏电流”并未产生，集电极电流总方向不会改变。

5、由于是NPN管子所以BE和BC都可以看成是二极管，所以B加正电压 E和C处于低电平时都可以导通。这就是三极管当二极管用时的工作原理。由于是3级管，所以当C高电位，E低电位时，三极管处于正常工作准备中。

6、晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。

结电压是开启电压吗（结点电压适用于什么电路）

从基极到发射极中间有一个发射结，从P型到N型加正电压，所以是正向电压。这样的电压加上去之后，发射结会变窄，发射区的电子会不断扩散到基区。当电压足够大时，就会形成电流，这个电压也就是开启电压。从集电极到基极中间有一个集电结，从N型到P型加正电压，所以是反向电压。

因此，当说“ib ibs”是工作在饱和区时，这是指基极电流足够大，以至于晶体管不仅进入了饱和区，而且还有余量，确保了即使有一些变化或不确定性，晶体管仍然能够保持在饱和状态下工作。这种情况下，晶体管的行为更像是一个闭合的开关，其集电极与发射极之间的电阻非常低。

三极管的放大状态，是发射结正偏集电结反偏。但是在第一个图中，发射结只加上了信号电压，而一般来说信号电压很小，不足以导通PN结，所以没有达到使发射结正偏。其次，发射结加上VBB之后，Rb的位置使得此图在静态时候，由于输入端短路，IBQ=0，晶体管将截至不能正常工作。

工作在放大区的判断：其发射结（b、e极之间）为正偏，集电结（b、c极之间）为反偏。对于小功率的NPN型硅，呈现为Vbe≈0.7V，Vbc0V（具体数值视电源电压Ec与有关元件的数值而定）：对于NPN型锗管，Vbe≈0.2V，Vbc0V。

当Vbe和Ib的关系处于特性曲线的近似直线的位置时，基极电流Ib与发射结电压就成线性关系，这样，可以说集电极电流Ic与基极电流Ib就成比例关系。从电流放大的角度来看时，其实，集电极电流Ic还是由发射结电压控制的，等到了高频小信号模型的时候，就会说集电极电流受发射结电压控制了。

1、开启电压是小于该电压时二极管是不导通的（电流可以忽略）；导通电压是指二极管已经导通了（肯定有无法忽略电流）的正向压降。伏安特性曲线开启电压以下的部分相当于二极管伏安特性曲线中与X轴接近平行的部分。

2、应该是关于PN结的，死区电压（开启电压）指结正向电流由几乎为零转而开始明显增大那一点的结电压，此时正向电流仍不大，还不能满足电路应用；导通压降是PN结正向电流较大，工作于伏安特性几乎为直线区域时的结压降，此时正向电流变化时结压降基本不变。导通压降开启电压。

3、在半导体中导通电压与开启电压有啥区别：（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

4、在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

5、二极管的导通是一个过程。正向偏置的情况下，死区电压就是从0到开启电压之间的这段，这段虽然是正向偏置，但却不导通，基本上没有电流。开启电压是一个节点，从这个电压开始，二极管内部开始出现电流。

1、夹断电压：指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS。开启电压：增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS。

2、有两种类型的场效应管：增强型和耗尽型。增强型的在栅源电压小于一定值时是没有导电沟道的（宽度为0），大于该值时才导电，这就是开启电压。耗尽型的在栅源电压=0时就已经存在非0宽度的导电沟道，而随着栅源电压的降低，沟道宽度越来越小，当沟道宽度=0时对应的栅源电压就称为夹断电圧。