三级管基极电压（三级管基极电压还是电流控制）
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三极管各个电极电平高低关系?
截止状态：Ube0.7V； （如果是锗管则Ube0.3V）放大状态：Ube0.7V，UceUbe；饱和状态：Ube0.7V，UceUbe。你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=75-10=0.75V ；Uce=3-10=0.3V 。这样， Ube0.7V，UceUbe，所以此三极管工作在饱和状态。
基极输入高电平，三极管导通，集电极接地，输出是低电平；基极输入低电平，三极管关断，集电极电压为电源电压，输出是高电平；三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件；作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
饱和状态时，基极电压较高，发射极电压较低，而集电极电压较低，此时三极管的电流达到最大值。需要注意的是，以上的关系只是在一定条件下成立，实际情况可能会受到器件参数、电路参数等因素的影响而产生变化。同时，三极管的工作状态还与其所在的电路拓扑结构、所接受的信号等因素有关，需要具体分析具体情况。
电压高低关系不好说，各极电压跟管型有很在关系。但根据工作状态总体是两以下几个原则（适合任何型号的三极管）：放大状态下：UcUbUe（PNP） 或（UeUbUc（NPN）换句话说就是发射结正偏，集电结反偏。饱各状态：发射结正偏；集电结正偏。截止状态：发射结反偏；集电结反偏。
对于NPN来说，就如上面图2水箱流水一样，水往低处流，集电极是高电平、基极是低电平才能保证水由高处流到低处。
如何计算NPN三极管的集电极电压
一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。三极管处于开关状态，只要NPN型三极管满足基极到发射极正偏，电压为0.7V，CE极深度饱和导通，CE极压降很低的，整体电压都加在集电极电阻上，而集电极电流大小决定于集电极电阻大小而定的。
对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。
求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
求助:三极管的基极工作电压是多少到多少?
1、硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。硅材料或锗材料的三极管工作在截止状态时的基极处于0偏置或反向偏置，基极电压为0～6V（与放大或饱和导通时基极电压反相）。
2、三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。
3、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。
4、当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的C-E间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的C-E间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是6V。
三极管各极电压怎么求?
1、下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
2、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
3、PNP Ubc=-0.2-（-5）=8V Ube=-0.2-0=-0.2V NPN Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
三极管基极电压
1、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。
2、基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高，而管压降Uce则下降。管压降一般指集电极与发射极之间的电压，即：Uce=Uc-Ue，其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”（即参考点）电压。
3、下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。发射极电压（Ve）：Ve = Vb - Vbe 其中，Vb为基极电压，Vbe为基极-发射极间电压。
4、硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。
5、V（硅管），电压些许变化就会引起基极电流较大的变化，从而引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的电流放大特性。 三极管基极工作电压就是0.7V，但是区分三极管的工作状态是在线性区（放大状态），还是在非线性区（开关状态），要看各极的电流与电压，而不单是电压。
6、求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
