二极管的击穿电压（二极管的击穿电压是其在反向偏置下能承受的最大电压）

频道：其他日期：2025-01-11 08:34:26 浏览：19

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1、就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

2、二极管的击穿电压是指当二极管两端的反向电压增大到一定程度时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性。二极管在正向偏置下工作，即正极连接到高电位，负极连接到低电位。在这种状态下，二极管导通，正向压降基本保持不变，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

3、二极管反向击穿时的电压值，击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。二极管反向击穿电压的理性定义：外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

1、击穿电压定义：击穿电压是指在电场作用下，电介质失去绝缘性能而转变为导体的电压阈值。击穿现象：在强电场影响下，固体电介质会由绝缘状态突变为良导电状态，这一过程称为击穿。击穿电压与场强关系：在均匀电场中，击穿电压与电介质厚度的比值称为击穿电场强度，它反映了电介质的耐电强度。

2、击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。

3、击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。

二极管的击穿电压（二极管的击穿电压是其在反向偏置下能承受的最大电压）

二极管反向击穿电压一般是工作电压2-3倍。二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压VBWM一般是VBR的一半。反向击穿的现象发生在很多情况下面，比如二极管，三极管等等。

整流二极管能承受多大反向电压取决于其最大反向电压（VR）。普通整流二极管的反向击穿电压一般在50V左右，而肖特基二极管的反向击穿电压则较低，一般在20V以下。

反向击穿电压不同：普通二极管的反向击穿电压一般在40V以上，高的可达几百伏至上千伏，而且在伏安特性曲线反向击穿的一段不陡，即反向击穿电压的范围较大，动态电阻也比较大。对于稳压管，当反向电压超过其工作电压Vz（亦称齐纳电压或稳定电压）时，反向电流将突然增大，而器件两端的电压基本保持恒定。

发光二极管有且只有一种耐压值。发光二极管有耐压值就一个，那就是反向耐压，正向性能用最大电流表征，发光二极管的反向耐压（即反向击穿电压）值比普通二极管的小，所以使用时，为了防止击穿造成发光二极管不发光，在电路中要加接二极管来保护。小功率的发光二极管正常工作电流在10 ～ 30mA范围内。

就是能够使二极管正常工作的最低正向电压。二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

击穿电压，是一种衡量二极管性能的重要指标，它指的是在指定反向击穿电流下的击穿电压。具体而言，齐纳二极管的额定击穿电压一般位于9V～7V之间，而雪崩二极管的则通常在6V～200V范围内。击穿电压是二极管在工作时承受的最大电压值，一旦超过这一值，二极管可能会发生损坏。