门限电压与饱和电压（门限电压值的求法）
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饱和与截止失真如何区分?
1、三极管放大电路中，静态工作点设置过低将会产生截止失真，工作点设置过高会产生饱和失真。晶体管的静态工作点设置较低时，由于输入信号的叠加有可能使叠加后的波形一部分进入截止区，这样就会出现截止失真。
2、饱和失真和截止失真的图像区别：饱和失真：通过示波器在输出端观察，会出现顶部削平的波形，一般原因通常都是，静态工作点设置的太高，需要调节三极管基极降低下拉电阻的阻值，或增大上拉电阻的阻值。
3、输入波形是正半周，输出波形是负半周，近峰值时，输出不再随输入波形变化，就是饱和失真；输入波形是负半周，输出波形是正半周，近峰值时，输出不再随输入波形变化，就是截止失真。三极管的输出和输入正好是反过来的，即反相输出。
关于MOS的应用疑问
问题1，你所说的并不矛盾，VGS变大，RDS就变小，ID当然变大了。问题2，VGS超过门限电压即VGS（th）只能说明MOS开始受控，进入的应该是线性区，VGS电压小于VGS（th）应该是截止的，就像图上的VGS在5V一下ID是没有的。MOS当开关使，要进入饱和区，区间内ID不会因VGS的变化而变化较大。
MOS管具有放大作用的基础是电压vgs对电流id的控制作用，这个控制量是gm，定义 gm=id/vgs，电流被电压除，它的量纲应该是电导。但是电压电流不在同一个回路中，所以过去就命名为跨导，回来才改成互导。
然而，通过记者的采访，我们发现许多人对MOS考试存在误解。有人疑惑地问道：“这个考试是关于编程的吗？”“办公软件应用这么基础，还需要考试吗？”这样的疑问在采访中屡见不鲜。实际上，人们普遍将办公软件应用视为低层次或简单的技能，而忽视了它在日常工作中的广泛作用。
先放结论：可以。这几天在看MOS管的工作原理，看了那么多经典应用电路，一直的疑问是在设计电路时，源漏极到底如何接？这个问题导致我一直没有下笔写关于MOS管的理解。现在先解答一下，源漏极连接及能否反接这个问题，主要以增强型NMOS管为例，或许会挂上PMOS管。
这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。
IGBT欠饱和是什么概念
1、IGBT欠饱和是指在门极驱动电压幅值不足让IGBT进入饱和状态，这样IGBT可能处于欠饱和状态，损耗比较大。欠饱和状态是相对完全饱和状态来说的，欠饱和状态一般是指IGBT刚刚进入饱和状态，是一个临界点，还没有进入深度饱和状态。
2、在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴（电流轴）的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度。
3、短路 I： 当直接施加负电压时，IGBT会迅速导通，电流剧增，超过6kA饱和电流。为了防止过热，必须在10微秒内迅速关闭，如图12-27所示，这一过程对设备稳定性的要求极高。短路 II： 如果在导通期间发生，电流受直流母线电压和电感影响。
单门限电压比较器multisim电路仿真
1、单门限电压比较器是基于开环运放的电路设计，其线性工作区极小，可忽略不计。当正向输入电压VCC2大于反向输入电压VCC1，输出电压必然保持在饱和电压值。若VCC2等于1V，大于VCC1的0V，输出电压为5V的正饱和电压。而当VCC2为999V时，输出电压会是-5V的负饱和电压。
2、符合实际情况，应该是这种输出波形，因为这是比较器，不是运放，它是“OC门”，不能输出高电平，那个0电压还是RR4引来的。纠正方法：给输出端加一个1kΩ的上拉电阻接到正电源。
3、R1R2将+5v和Uo间电压分压，得出的分压值就是门限值U+，随Ui变动Uo可以是高或低电平，所以高或低电平时都有不同的门限值。
4、设计思路 数据比较模块。数据比较模块是电子锁的核心部分。由于是八位数据比 较，所以采用两片 7485（四位数字比较器）级联方式。用高 4 位的芯片的输出 端（YA=YB，YAYB，YAYB）控制门铃和报警电路。 原始密码输入模块。
5、Multisim是一款电路仿真软件，它可以仿真许多硬件电路，不需要每个电路都去打样做pcb板。我也是初次使用Multisim，下面是Multisim仿真LM393比较器的电路。
6、multisim电压比较器在在主界面左边工具栏。据相关平台公开信息显示，电压比较器，顾名思义，就是比较两路输入电压的高低。LM393P是TI公司出品一款双电压比较器，采用DIP8封装。
二极管的参数符号有哪些-二极管的参数符号知识(2)
IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii--- ；发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。
参数：CT---势垒电容、Cj---结（）电容；表示在二极管两端加规定偏压下检波二极管电容、Cjv---偏压结电容、Co---零偏压。电容用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。
Cj：指结（极间）电容，是二极管在规定偏压下的总电容，常见于锗检波二极管中。Cjv：偏压结电容，反映了二极管在受偏压影响下的电容变化。Co和Cjo：零偏压下的电容，是二极管在无外部电压时的电容表现。Cjo/Cjn：结电容变化的比值，描述了电容随偏压变化的比率。
二极管的关键参数及其符号如下：Cj：结（极间）电容，代表在二极管施加特定偏压时，锗检波二极管的总电容。Cjo：零偏压结电容，表示二极管在无偏置电压下的电容特性。Cjo/Cjn：结电容变化，反映了二极管电容随偏压变化的特性。Ct：总电容，包括二极管内部的各个电容成分。
