vbe电压(vbe电压是由ib决定的吗)
本文目录一览:
- 1、vbe是基极电压吗?还是基极电压减去发射极电压?还是管压降?哪位朋友告诉...
- 2、基本晶体管正常工作时各极电压是怎样变化的?
- 3、三极管导通以后,各极的电压发生怎样的变化
- 4、vbe是什么意思物理?
vbe是基极电压吗?还是基极电压减去发射极电压?还是管压降?哪位朋友告诉...
1、Vbe是基极与发射极之间的电压(差),即基极电压减去发射极电压。
2、基极电压(Vbe):Vbe = Vb - Ve 其中,Vb为基极电压,Ve为发射极电压。发射极电压(Ve):Ve = Vb - Vbe 其中,Vb为基极电压,Vbe为基极-发射极间电压。
3、基极电压(Vbe):当基极与发射极之间存在电压时(通常称为偏置电压),会使得电流从基极向发射极流动,此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。发射极电压(Vce):当集电极与发射极之间的电压为正时,发射极与基极之间的电流会流动,并逐渐增大使得Vce的值会降低。
4、在电路中,be通常指的是双极晶体管(BJT)的基极和发射极之间的电压,即其基极电压(Vbe)。BJT是一种电子元件,广泛应用于放大和开关电路中。在放大电路中,Vbe决定了BJT的放大系数,因此对于设计师来说,精确测量和控制Vbe是非常重要的。
5、三极管的输入电压是0.3-0.8V,这是谁告诉你的?三极管常用的有三个电压:Vce(最大集电极-发射极电压)、Vcb(最大集电极-基极电压)和Vbe(基极-发射极电压),其中Vce和Vbe一般都在10V以上,有些三极管甚至在1000V以上,只有Vbe通常在1V以内。
基本晶体管正常工作时各极电压是怎样变化的?
当基本晶体管正常工作时,各极电压会发生如下变化:基极电压(Vbe):当基极与发射极之间存在电压时(通常称为偏置电压),会使得电流从基极向发射极流动,此时Vbe的值大约为0.6 ~ 0.7伏。
在放大状态下,基极与发射极之间的电压通常维持在约0.7伏特,这是一个相对稳定的值,称为PN结的正向导通电压。这个电压是使基极电流开始流动的最小电压,也是晶体管开始工作的门槛。集电极与发射极之间的电压则根据晶体管的工作状态和外部电路条件而变化。
首先纠正你的说法:“当Ib增大时,Ue就减小.Ib减小,Ue增大”,不是Ue,而是Uce。是集电极到发射极的电压。你说的这种变化关系是有条件的:是集电极必须有一个负载电阻Rc,这种关系才成立。Rc两端电压表示为URc,因为Uce+URc=Ucc,Ucc是电源电压。
截止区 截止区对应的晶体管状态为发射结和集电结均反偏,其工作状态如下:NPN型 UcUb且UeUb,这样可以满足发射结和集电结均反偏;PNP型 UcUb且UeUb,这样可以满足发射结和集电结均反偏。
三极管导通以后,各极的电压发生怎样的变化
NPN(饱和):Vbe=0.7V,Vce=0.2~0.3V。PNP(饱和):Veb=0.3V,Vec=0.2~0.3V,非饱和状态无法判断。
要根据所接入的限流电阻而定,若限流电阻与集电极串联,导通后集电极由高电平变为低电平;若限流电阻与发射极串联,导通后集电极呈高平不变。
如果T1集电极(T2基极)与Vcc间连接有负载(通路),那T1为集电极饱和导通状态,T1的C-E间的电压变为0.3V(其数值为T1饱和导通后的体电阻乘以T1集电极Ic)。另外饱和是不是就是导通?是的,饱和肯定是导通了!三极管在C-E间Vcc=0时可以等效成两个反接的二极管。
哎,许多条件都没写清。对于NPN型的处于导通状态的三极管且是共射极基本放大电路而言,三极管b极电压升高,基极电流增加,集电极电流激增,发射极电压不变,集电极电压下降,直到降到集电极-发射极之间饱和电压下,才不随b极电压影响。
vbe是什么意思物理?
在物理领域中,VBE是一个常见的术语,它代表了二极管(晶体管)的基本电压。VBE在电子学中非常重要,因为它可用于确定电路元件间电流的大小。同时,VBE也与晶体管的放大倍数有关,因此被广泛应用于电子电路设计和制造领域。
闭合电路中,由于两点间存在温差而出现的电位差叫做热电压(Thermalvoltage)。也称为温度的电压当量。电学中常用的热电压VT=kT/q,具有正的温度系数。而三极管的BE结电压VBE具有负的温度系数,二者的平衡可以产生一个在某一温度下温度系数为零的基准电压。
从原理上讲,这是一个固体物理和半导体物理的问题,至少需要学习一下半导体物理才能真正理解。
基极与发射极之间的电压VBE,我们把它等效为一个二极管,导通电压为0、6~0、7V,并且需要从外部提供相应的电压VBIAS。当交流(信号)电压源变化时,基极电阻RB上基极电流IB(A)发生变化,从而引起集电极电流IC(A)也发生变化。IC=hFE*IB 这是电流“控制”的关系式。
当三极管在基极电流的控制下进入饱和状态时,E和C之间的压降(Uce)叫饱和压降,是因为此时C/E存在电阻造成的,这与制作三极管的材料有关,是种物理现象,无可解释也无法改变。同理:Vbe=0.47V也是物理现象,同样无可解释也无法改变。
三极管能否导通,不是看基极电压是几V,而是基极和发射极之间的压差,也就是Vbe=0.7V 。三极管进入放大状态的关键:发射结正偏,集电结反偏。基极:基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极:分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压,于是就产生了各极电流。