集电极发射极击穿电压（集电极发射极间的穿透电流）

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功放集电极发射极电流多大?

1、集电极发射极击穿（最大）：230V。在某Ic、Vce时的最小直流电流增益（hFE）：80@1A，5V。最大电流允许值：15A。最大工作频率：25MHZ。可代换的型号：2SA1553。功率-最大：150W频率-转换：30MHz。安装类型：通孔封装/外壳：2-21F1A。包装：管件。引脚数：32SA1943。

2、极性为NPN，击穿电压（集电极-发射极）为400V，集电极最大允许电流为10A，最小电流放大倍数（hFE）为10。

3、接下来，是电流参数。功放管的最大集电极电流为10A，意味着在理想情况下，它可以为负载提供高达10安培的电流，确保了设备在大功率输出时的性能。同时，最大功率输出为125W，进一步体现了这款功放管在高功率应用中的潜力。为了更全面地评估功放管的工作特性，我们还考虑了直流电流增益（hFE）。

4、V，0耗散。电压参数：A1837功放管集电极基极电压VCBO为230V，集电极-发射极电压VCEO为230V，发射极基极电压VEBO为5V，集电极电流IC为1A，基本电流IB为0.1A。功率和散热参数：集电极功率Ta=25摄氏度时为0耗散，Tc=25摄氏度时为结温Tj为150摄氏度，储存温度范围Tstg为-55至150摄氏度。

5、基极的电阻值很高，一般在几十千欧姆到几百千欧姆之间。集电极（Collector）是三极管的输出端，负责收集从发射极流向集电极的电子流。集电极的电阻值相对较低，一般在几欧姆到几十欧姆之间。发射极（Emitter）是三极管的输入端，负责提供电子流。发射极的电阻值相对较低，一般在几欧姆到几十欧姆之间。

6、它的集电极-发射极电压高达230V，能够承受较大的电压波动；最大集电极电流）为15A，表明其在大电流条件下仍能稳定工作；最大耗散功率）为150W，这意味着在连续工作时，它能有效散发产生的热量，保证电路的稳定性和安全性。这些参数使得C5200非常适合用于需要高功率输出的音频功放电路中。

三极管Vceo与Vcbo

VCEO：集电极发射极反向击穿电压，表示临界饱和时的饱和电压。VCBO：基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

我在以前也遇到过这种现象，在对老式的锗PNP管测试时就是这样的。原因是穿透电流ICEO的存在造成的，因为ICBO远远小于ICEO，所以当测量电源电压不是稳压电源时，就会出现误差。如果是用精度比较高的稳压电源就不会有这个现象。

三极管13007的参数主要包括：集电极-基极电压（VCBO）为700V，集电极-发射极电压（VCEO）为400V，发射极-基极电压（VEBO）为9V，集电极电流（IC）为0.8A，耗散功率（PC）为30W，工作温度为-55℃～+150℃，封装类型为TO-220。

三极管的耐压有三项指标，集电结反向耐压Vcbo、发射结反向耐压Vebo和和集电极至发射极最大电压Vceo。电流则是指集电极最大电流Icm。

因为VCE0是基极开路时加在集电极和发射极之间的电压，集电结是反向电压，发射结是正向电压，发射结的正向电压大小决定与流过它的电流大小。这个电流受穿透电流的影响存在雪崩倍增效应。所以VCEO要比VCBO小的多。VCBO没有穿透电流影响，只是电压过高引起的击穿雪崩电压，所以高。

n通道IGBT耐压多少v?

1、中压IGBT：耐压范围约为600V至1200V，常用于工业控制和电源转换设备中。高压IGBT：耐压可以达到1700V、3300V甚至更高，用于高压电力传输和大型工业设备中。

2、首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。在脉冲电流方面，集电极脉冲电流可以达到300A，这对于需要处理短暂大电流的场景非常适用。

3、这款N通道IGBT管的最大特点是其集电极-发射极击穿电压高达600V，能够承受较高的电压。它的集电极电流能力为45A，这意味着在正常工作条件下，它能稳定提供20A的持续漏极电流（在25℃时）。在温度升高到100℃时，漏极电流会降低至15A。

4、逆变焊机中的IGBT16N50与16N60均为16A的N沟道场效应管，但它们的耐压值不同。16N50能够承受的最大电压为500V，而16N60则可以承受600V的电压。这种差异使得它们在逆变焊机中的应用范围有所不同，16N50适用于电压要求较低的场景，而16N60则更适合在高压环境下工作。

5、igbt耐压等级一般有：600v，1200v，1700v，2500v，3300v，4500v，6500v。电流低的用单管封装，电流大的用模块封装。而且一般igbt和frd（快恢复二极管或fwd续流二极管）并联封装在一起。例如1200v等级低电流的有：15a、20a、25a。

6、耐压值1200V的NPT型IGBT管，是电磁炉中常用的IGBT管之一。其基本参数为25℃下Ic=30A，Vces=1200V，电磁炉更换IGBT管功率相同Ic大于15A耐压值为1200V的即可。电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥100W，ICM≥7A，HFE≥40。

BJT击穿电压(2)三个击穿电压的有关因素

1、BJT击穿电压主要探讨的是发射结、集电结以及共发射极组态的击穿电压（BVebo、BVcbo、BVceo）以及影响这些击穿电压的关键因素。首先，BVebo指的是集电极开路状态时，发射极与基极之间能承受的最高反向电压，实际上是发射结的击穿电压。

2、由于BJT工作时，集电结常常处于反偏状态，故要求BVcbo较高；在大功率晶体管中，可高达数千伏。 这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。

3、因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。

4、对于实际应用中的BJT共发射极组态，不同的偏置条件会导致反向截止电流和相应的击穿电压出现差异。基极开路对应的是上述的击穿电压BVceo。

5、由于BJT具有三个电极，因此存在三个不同的击穿电压值，分别是：BVcbo、BVceo和BVebo。这三个击穿电压分别对应于三个反向截止电流（Icbo、Iceo和Iebo）急剧增大的电压值。

S9018电性能参数

1、S9018电性能参数如下：击穿电压：- CEO（集电极-发射极击穿电压）：18V - CBO（集电极-基极击穿电压）：25V - EBO（发射极-基极击穿电压）：4V 直流放大系数：- hFE（集电极发射极放大系数）：70～190，当VCE=5V，IC=1mA时。

2、①、S9018属于NPN型管参数是：/耐压：30V/ 电流：0.02A/功率：0.2W/频率：700MHz/ 放大倍数：β100/。②、2N3904属于NPN型管参数是：/耐压：60V /电流：0.2A/功率：0.310W//β100倍/ /频率：250MHz/。

3、s945三极管的电参数：IC 150mA VCEO 50V fT 300MHZ hFE 70~700。常用在速度要求不高的开关电路中，也可用AF放大的驱动级。

4、三极管s9018严格意义上不能用2n3904替换，其放大系数以及频率特性都不一样。替换原则是：最大集电极耗散功率Pcm不小于原用管；最大集电结反向击穿电压Vcb0不小于原管；最高工作频率f（振荡频率fT）不小于原管。

BJT击穿电压(3)共发射极组态的击穿电压的说明

1、对于实际应用中的BJT共发射极组态，不同的偏置条件会导致反向截止电流和相应的击穿电压出现差异。基极开路对应的是上述的击穿电压BVceo。

2、②对于实际应用中的BJT共发射极组态，往往在其输入端加有不同的偏置条件，则不同的偏置情况即对应有高低不同的反向截止电流和相应的击穿电压。

3、由于BJT的发射结通常都工作在正偏状态，故对BVebo的要求通常并不高，同时基区的掺杂浓度也不能太低，所以BVebo一般是小于20V。 这就是BJT共基极组态的击穿电压，即发射结开路时、基极与集电极之间所能承受的最高反向电压，实际上也就是集电结的击穿电压。