硅二极管反向击穿电压（硅二极管反向电流一般多大）

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一个硅二极管反向击穿电压为150伏,则其最高反向工作电压为

反向击穿电压为150伏，则其最高反向工作电压为85V。

不对；二极管最高反向工作电压是一个极限工作参数，工作在这个电压下，二极管不一定击穿，但厂家手册理会警告，不要长时间工作在此电压下，否则不保证产品性能。二极管击穿电压是一个离散参数，工作电压大于最高反向工作电压，二极管随时可能击穿，但具体击穿电压不是确定值。

反向击穿电压U（BR）CEO：三极管工作时，加在任何两个电极间的反向电压超过一定值时，都会产生很大的电流，从而导致管子损坏。2集电极最大允许电流Icm：由三极管输出特性曲线知道，Ic超过一定值时，三极管的放大倍数开始下降。

最高反向工作电压VRM（V）---二极管长期正常工作时，所允许的最高反压。若越过此值，PN结就有被击穿的可能，对于交流电来说，最高反向工作电压也就是二极管的最高工作电压。最大整流电流IOM（mA）---二极管能长期正常工作时的最大正向电流。

面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。 限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。

二极管的工作电压

1、红色发光二极管的工作电压最低，约6-7V；其次是普绿色、黄色，7-8V；白色8-9V；橙色8V-4V；蓝、白、翠绿电压范围：8V-5V。发光二极管的反向耐压只有借助兆欧表和万能表测量。

2、发光二极管的工作电压根据其类型和制造规格的不同而有所差异。常见的发光二极管工作电压范围在5V至3V之间。特殊类型或特定型号的发光二极管可能会有不同的工作电压要求。解释：发光二极管是一种电子器件，其工作原理是通过电子与空穴的复合释放光子来发光。其工作电压是指在其正常工作条件下所需的电压。

3、一般来说，红色和黄色发光二极管的工作电压为8至2V，蓝色和绿色发光二极管的工作电压为0至6V。然而，这只是一般范围，实际工作时，电压波动可能会影响发光二极管的性能和寿命。因此，在设计电路时，应尽量控制工作电压在合适的范围内，以保证发光二极管的稳定性能。

4、不同颜色的发光二极管，工作电压是不一样的。红色，黄色大概在8v左右，绿色，蓝色在8v左右。额定电流时20MA。 如果加3v的电压的话你自己计算一下就可以了。发光二极管是现代电子制作中常用的电子元件之一，发光二极管是电流控制元件，通过流过的电流，直接将电能转变为光能，故也称光电转换器。

5、发光二极管的工作电压不同颜色和型号的不同，常见的红色LED电压在8V左右，黄色2V左右，绿色2V左右。一般在220V应用时，分压电阻为100kΩ，电阻分压大约218V。

二极管的击穿电压怎么看

1、二极管的击穿电压是指当二极管两端的反向电压增大到一定程度时，反向电流会急剧增大，导致二极管失去单向导电特性。 二极管在正向偏置下工作，即正极连接到高电位，负极连接到低电位。在这种状态下，二极管导通，正向压降基本保持不变，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。

2、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

3、稳压二极管击穿后 电压可以用万用表测出来，测出来的电压就是稳压二极管的稳压值。

二极管的伏安特性

1、二极管的伏安特性是什么的答案是：正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。

2、二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。死区，对应的电压称为死区电压。

3、二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。晶体二极管性能参数 最大整流电流Idm：二极管连续工作允许通过的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热烧毁；大电流整流可加装散热片。

4、二极管的伏安特性是描绘二极管电流与电压之间关系的曲线。它可以帮助我们理解二极管在电路中的行为。正向特性是其中一部分，主要描述当给二极管施加正向电压时其电流与电压之间的关系。正向特性曲线的开始部分，即第一象限，是二极管正向特性的基本展示。

5、二极管具有单向导电性； 二极管的伏安特性具有非线性；二极管的伏安特性与温度有关。在二极管两端加一定数值的电压，就有一定的电流流过二极管。

6、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

硅稳压二极管工作原理?

1、你好：稳压二极管的稳压值可以理解为【反向击穿电压】，当此电压高于稳压值时，管子导通，低于稳压值时截止，就是说稳压二极管的端电压，始终稳定在稳压值。工作时，稳压二极管的工作电流不能超过【最大稳压电流】，否则就会烧毁了。

2、稳压二极管也称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起稳定电压作用。它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。

3、串联型稳压电路，稳压二极管是基准电压，起主要作用的是放大器。用运算放大器构成的串联型稳压电路，其实就是一个同相比例运算电路。稳压二极管，稳压出正相输入的电压，使其正相输入端电压固定，反相输入端是反馈电压。调整管是射级输出器，所以输出电压与运放的输出电压相等。

4、它是利用二极管被反向击穿后，在一定反向电流范围内反向电压不随反向电流变化这一特点进行稳压的。稳压二极管通常由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成。它既具有普通二极管的单向导电特性，又可工作于反向击穿状态。

5、稳压二极管，英文名：Zener diode，又叫齐纳二极管，是一种用特殊工艺制造而成的面结型硅半导体二极管，它的外形、内部结构与普通二极管相似。稳压二极管伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。

什么是二极管死区电压和反向击穿区电压

1、反向击穿电压是指二极管在反向击穿时所达到的电压值。在反向击穿过程中，反向电流会急剧增加，导致二极管的单向导电性被破坏，甚至可能因过热而损坏。手册中给出的最高反向工作电压VBWM通常是反向击穿电压VBR的一半。理解死区电压和反向击穿电压对于设计和优化电路至关重要，它们直接影响到电路的性能和可靠性。

2、死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时，由于本身的压降，也就是供电电压小于一定的范围时不导通，造成输出波形有残缺，从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候，这一段电压就是死区电压，本质上就是二极管的开启电压。当二极管加上正向电压时，便有正向电流通过。

3、温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。

4、二极管加外正向电压（外加反向电压不能导通的）；加上的正向电压必须大于二极管的死区电压。二极管的死区电压：外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

5、二极管的反向击穿电压是指在反向偏置条件下，电压升高到一定值时，二极管内部的绝缘层被击穿，电流突然增大，这个电压值称为反向击穿电压。通常，硅二极管的正向电压约为0.5V，而锗二极管的正向电压约为0.1V。二极管的另一个重要特性是它的开关作用。

6、对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。