锗管电压（锗管电路图）

频道：其他 日期： 浏览：51

本文目录一览：

锗管和硅管的区别是什么?

材料本身：锗管使用的是锗（Ge）这种半导体材料，而硅管使用的是硅（Si）这种半导体材料。 导电性能：锗管的导电性能比硅管好，即使在高温环境下，锗管的导电性能也能保持良好。但是锗管的噪音比硅管大。 制造难度：锗管的制造比硅管难度大，而且成本更高。

根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同 在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。

三极管中硅管和锗管的区别有两点：一是导通电压不同硅管是0：65V锗管是0：2／0：3V，二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

热稳定性：硅管在温度变化下的稳定性较好，而锗管的热稳定性相对较差。 材料使用：由于硅半导体材料的广泛应用，现代半导体工业中普遍使用硅管，而锗管的使用则相对较少。

锗管的漏电流远远大于硅管，且随着温度的增加，漏电流也会剧烈的上升。也就是说锗管的“热稳定性”非常差。这就是锗管基本被淘汰的最主要的原因。根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同。

锗管的导通电压是()v。

1、锗管的导通电压通常在0.1到0.3伏之间。锗管是一种半导体器件，它的导通电压是指在其两端施加一定的电压后，它开始导电的电压。这个电压通常很低，一般在0.1到0.3伏的范围内。这也是为什么锗管在电子电路中常常被用作小信号放大、开关等工作的原因。

2、导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V。正向电阻不同硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。热稳定性不同硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。材料不同硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。锗管很少了。

3、锗管压降0.2V~0.3V，大电流至少0.3V。但是因为除了压降其他指标都不如硅管，锗管现在已经很少了，几乎可以算是淘汰了。建议你用肖特基二极管。

4、PNP型三极管则相反，集电极Vc的电压最低，发射极Ve的电压最高，基极Vb的电压介于Vc和Ve之间，通常比Vc低0.7伏或0.2伏。

5、三极管导通电压：锗管为：0.1~0.3V。硅管为：0.6~0.8V。三极管的三个工作状态：截止：Uce约等于电源电压。放大：Uce大于1V小于Uce。饱和：UceI小于1V。

6、二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。

判断三极管是硅管还是锗管,在什么区,是否损坏

a）NPN硅管，放大； b）PNP锗管，放大；c）PNP锗管，坏管，be开路； d）NPN硅管，饱和；e）PNP锗管，截止。c）的判断：射极电压12V，基极3V，eb结应正向导通，基极电压应为17V左右，反过来看，射极电压应为3V，而标示出的电压有9V之差，判断为be结开路。

对于判断三极管的材料类型，可观察其导通时的压降。若压降在0.6-0.7V之间，则该三极管为硅管；若压降在0.2-0.3V之间，则为锗管。值得注意的是，锗管的热稳定性较差，曾导致Motorola一批收音机在夏季集体故障。现今市场上的三极管多为硅管，在100度以下运行均无问题。

首先看三极管的类型，判断是硅管还是锗管，根据三极管的类型的特性，利用三极管内PN结的单向导电性用，用仪器万能表，检查各极间PN结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者PN结性能不好。如果正反向电阻都小，说明管子极间短路或者击穿了。

简单的判断三极管好坏的方法：首先看三极管的类型，判断是硅管还是锗管，根据三极管的类型的特性，利用三极管内 PN 结的单向导电性用，用仪器万能表，检查各极间 PN 结的正反向电阻，如果相差较大说明管子是好的，如 果正反向电阻都大，说明管子内部有断路或者 PN 结性能不好。

如何判断这两个三极管是PNP型还是NPN型,硅管还是锗管

锗管Vbe在0.2V左右，硅管Vbe在0.7V左右，所以两个电压相近的是b、e，另一个电压相差较大的是c。2：当c极电压高于其他两极说明是NPN管，此时另两极中电压较高的是b。3：当c极电压低于其他两极说明是PNP管，此时另两极中电压较低的是b。

三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

判断三极管的类型，首先要使用万用表。黑笔对应电池正极，若黑笔接某脚，红笔分别接触其他两脚时均导通，说明此三极管为npn型。相反，若红笔接某脚，黑笔接触其他两脚导通，则该三极管为pnp型。若任意两脚间都能导通，则该三极管已损坏。对于判断三极管的材料类型，可观察其导通时的压降。

锗管死区电压是0.1还是0.2?

1、当二极管正向电压很低时，外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，此时正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V，锗管约0.1V）后，二极管电阻变得很小，电流增长很快。这个电压往往称死区电压。

2、锗二极管导通电压为0.1V-0.3V，一般取0.2V，死区电压为0.1V左右。对于锗二极管 ，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。锗二极管就是用锗材料制作的二极管。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

3、在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，此时的电压为“导通电压”。电压再稍微增大，电流急剧暗加。

4、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。

5、理想状态下，死区电压应为零，正向压降也应为零。然而，在实际应用中，不同类型的二极管具有不同的死区电压和正向压降。硅二极管的死区电压通常为0.5V，正向压降则在0.6至0.7V之间。相比之下，锗二极管的死区电压约为0.1V，正向压降则在0.2至0.3V之间。

关键词：锗管电压