温度与击穿电压（击穿电压与湿度的关系）

本文目录一览：

• 1、温度与肖特基二极管的击穿电压有什么关系?
• 2、二极管的击穿电压大小与温度有关温度升高击…
• 3、三极管ce击穿电压和温度关系
• 4、影响液体电介质击穿电压的因素
• 5、固体热击穿电压随介质温度和厚度的变化?

温度与肖特基二极管的击穿电压有什么关系?

肖特基二极管的主要参数有额定正向工作电流、最高反向工作电压、反正电流，也是肖特基二极管的性能好坏和二极管的适用范围技术指标。肖特基二极管的击穿电压就是加在二极管两端反正电压超过二极管最高反向工作电压值，那么二极管被击穿。二极管额定正向工作电流跟温度之间关系。

肖特基二极管受温度的影响要比普通二极管受温度的影响要小得多。原因是通常自身体积较大，容易散热，且工作在开关状态，不是一直在工作状态的。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

然而，SBD并非没有挑战。其反向势垒较薄，这使得它的反向击穿电压相对较低。由于其对温度敏感，肖特基二极管更容易因过热而发生击穿，导致反向漏电流比PN结二极管大。因此，在选择和使用时，需要考虑到这些因素，确保在适合的条件下运行。

与普通二极管相比，肖特基二极管的反向电压和正向电流参数较低，如onsemi NSR0340HT1G型号的反向电压为40V，正向电流典型值为250mA。它们的正向压降随电流增加而增加，但总体上较低，特别适合电池驱动和太阳能电池应用。

二极管的击穿电压大小与温度有关温度升高击…

通常情况下，温度升高会导致二极管的反向击穿电压降低。这是由于在反偏置条件下，温度上升会加剧热激励效应，产生更多的少数载流子，即自由电子和空穴。这些载流子在反向偏压下会形成漏电流，而温度升高使得这些载流子更加活跃，从而导致漏电流增大。随着漏电流的增加，二极管的反向耐压会相应降低。

错误。反向电流是少数载流子形成的电流，对温度很敏感，温度升高，反向电流增大，反向击穿电压降低。

温度升高，正向导通电压减小，反向击穿电压减小，反向饱和电流增大。即，相同的正向电压下，温度升高，正向电流增大。在未反向击穿之前，温度升高，反向饱和电流增大。温度升高后，管子更容易被击穿。比如20V反向电压，温度低的时候管子不会被击穿，但是温度升高后，有可能会被击穿。

二极管反向电流跟温度之间关系。大约温度每升高10℃，二极管的反向电流增大一倍。假设有一个2AP1型锗二极管，它温度为25℃，它的反正电流为250uA，它的温度为35℃，它的反正电流为500uA。二极管的反向电流超过规定温度和最高反正电压的作用，二极管失去单向导电性作用，且二极管过热损坏。

三极管ce击穿电压和温度关系

1、题主是否想询问“三极管ce击穿电压和温度有关系吗”？有关系。根据查询相关信息显示，温度上升会导致CE击穿电压下降。这是因为随着温度升高，NPN三极管的基区电压降低，会使得三极管的CE击穿电压降低。此外，温度升高还会增加PN结的反向饱和电流，从而导致三极管的CE击穿电压下降。

2、晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高，很正确。当前所用晶体三极管都是硅晶体管，锗晶体管都淘汰了，硅晶体管的穿透电流微小得都可以完全忽略不计了，怎么还会有这个问题？如果硅晶体管能测出mA级的穿透电流，那这个三极管就报废了，失去放大作用了。

3、问题一：三极管击穿的原因 三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

4、三极管中有两个不同半导体材料结合部形成的PN结，正常工作电压下，发射结工作在正向偏置，集电结工作在反向偏置，当集电结上的反向电压超过其能够承受的反向电压时，该电压就会将集电结形成的电子阻档层击穿，导致三极管损坏。

影响液体电介质击穿电压的因素

1、影响液体电介质击穿电压的因素：杂质：杂质会影响液体电介质的均匀度，影响其击穿电压。温度：温度会影响液体电介质的结构和分子运动，影响其击穿电压。电场的均匀程度：电场的均匀程度会影响电场强度的分布，影响液体电介质的击穿电压。

2、电场越均匀，杂质越容易形成小桥。杂质对液体电介质的击穿电压影响越大（这里指的是工频交流电压）。在电场极不均匀的情况下，由于高场强区出现强烈的游离，电场力对带电质点强烈的吸斥作用使该处的油产生剧烈扰动，杂质不容易形成小桥，故对击穿电压影响很小。

3、水分是影响击穿电压的一个因素。水作为极性分子，在电场作用下容易拉长并沿电场方向排列，形成导电“小桥”，从而显著降低击穿电压。此外，击穿电压不仅受水分含量的影响，还取决于水在油中的状态，乳化水对击穿电压的影响尤为显著。PN结的击穿电压（BV）是衡量其可靠性和应用范围的重要参数。

4、影响固体介质击穿电压的主要因素有：①电场的不均匀程度：均匀、致密的固体电介质在均匀电场中的击穿场强可达1～10MV/cm。击穿场强决定于物质的内部结构，与外界因素的关系较校当电介质厚度增加时，由于电介质本身的不均匀性，击穿场强会下降。

固体热击穿电压随介质温度和厚度的变化?

1、是。固体热击穿电压随介质温度和厚度的变化趋势如下：击穿电压与电介质的厚度的关系：当厚度较小时，随厚度的增加，击穿场强迅速降低；当厚度较大时，厚度的增加对场强影响不大（击穿电压随厚度的增加而线性地增长）。

2、热击穿的特点显著，击穿电压随温度升高而降低，且与散热条件有关。例如，电介质厚度增加会阻碍散热，导致击穿电压不按厚度成比例增加。高频率的外施电压会降低击穿电压。液体电介质的击穿机制则与纯净和含杂质的介质不同，涉及电击穿理论、气泡击穿理论，以及沿面放电和气体桥击穿等。

3、③温度：当温度较低，处于电击穿范围内时，固体电介质的击穿场强与温度基本无关。当温度稍高，固体电介质可能发生热击穿。周围温度越高，散热条件越差，热击穿电压就越低。④固体电介质性能、结构：工程用固体电介质往往不很均匀、致密，其中的气孔或其他缺陷会使电场畸变，损害固体电介质。

4、固体击穿电压随温度的升高而下降，击穿电压与散热条件有关，如电介质厚度增加，散热条件变坏，击穿强度也随之下降。

5、在固体电介质的电气行为中，热击穿是一个显著的现象。它特指在电压作用下，击穿电压会随着温度的上升和电压作用时间的延长而急剧下降的过程。这种类型的击穿是由电介质内部的热过程驱动的，因此被称为热击穿。热击穿的核心原理在于，当电介质处于电场中时，由于电场导致的介质损耗会转化为热量。