三极管反向击穿电压（反向击穿电压值的大小对二极管选用有什么影响）
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三极管四种反向击穿电压的解释
V（BR）CBO e极开路，c-b结的反向击穿电压。此时流经c-b极的是ICBO。当反向电压VCB增至一定程度时，ICBO急剧增大，最后导致击穿。（2） V（BR）CEO--b极开c-e极之间的反向击穿电压。 此时流经c-e极的是ICEO。当反向电压VCE增加到ICEO开始上升时的VCE就是V（BR）CEO。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而BVceo就小于BVcbo。
“ 如果每个脚都两两加压，一共有6种解（接）法 ”---这6种接法中有3种接法是正向接法，不存在“反向击穿”的说法，另3种接法属于反向接法，如下：三极管的参数中，有三个“击穿电压”，不同型号的管子的数值不同：BVceo：B极开路，C-E极反向击穿电压”。俗称的“耐压”特指它。
有极性；对于PNP管，是指b接正、e接负（b高、e低）情况下的击穿电压；对于NPN管，是指e接正、b接负（b低、e高）情况下的击穿电压。
ce极反峰电压，如果三极管的负载是感性的，在三极管由饱和到截止的时候就会产生反向电压，那个电压是比较高的，所以感性负载就要求三极管的反向电压是不是能够达到要求。
Iceo；三极管穿透电流（也称漏电流）。Iceq；三极管静态工作电流。Uceo；集电极-发射极反向击穿电压（俗称耐压）。Uceq；集电极-发射极静态电压。
NPN三极管反向击穿电压问题
还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。问题二：NPN三极管击穿是什么原因 1\接线错误导致反压超过PN结耐压值。2\揣流过大，超过三极管允许的耗散功率。
跟具体的电子元件，以及击穿电压有关系。以1N400系列整流二极管为例。如图：图中用红框框起来的两个项目分别为交流反向击穿电压，和直流反向击穿电压，可以看到1N4001反向击穿电压最小为50V，而1N4007为1000V。
可以是NPN组合，也或以是PNP组合。由于硅NPN型是当下三极管的主流，以下内容主要以硅NPN型三极管为例。三极管不是两个PN结的简单拼凑，两个二极管是组成不了一个三极管的。工艺结构在半导体产业相当重要，PN结不同材料成份、尺寸、排布、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。
NPN加正电压，PNP加负电压。击穿电压：C极--B极 〉C极--E极 〉E极--B极 这是规律。以硅大功率三极管举例：3DD12A C极---B极≥150V C极--E极≥100V E极--B极≥4V （注意：普遍硅大、小功率三极管的E极--B极的击穿电压都在 ≥3V---≥6V 左右。
在电子元件中，高频三极管和低频三极管的区分主要基于它们的结构特征。高频三极管，通常采用扩散型结构，其PN结的反向击穿电压相对较低。相比之下，低频三极管倾向于使用合金型结构，其PN结的稳定性使其反向击穿电压较高。为了区分这两种三极管，可以借助万用表进行测量。
对于NPN型的三极管,集电-发射极反向击穿电压怎么理解?集电极和发射极不...
1、三极管特性是基极控制集电极电流，所以一个NPN型三极管的集电极接电源正极，发射极接电源负极，基极不接电源的任何一端，或者接负极时，集电集和发射极没有电流通过。如集电极和发射极有电流通过，说明三极管漏电或损坏。
2、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区（N型，自由电子极多）向基区发出的电子构成的。
3、这样很容易就找到基极了，三极管正常工作时集电结是反向偏置的，阻抗不可能太大，由此可以找到集电极，剩下的就是发射极了。由于晶体三极管的发射区掺杂浓度高于集电区，所以在给发射结和集电结施加正向电压时 PN 压降不一样大，其中发射结的结压降略高于集电结的结压降，由此判定发射极和集电极。
4、NPN型 UcUbUe，这样可以满足发射结正偏，集电结反偏；PNP型 UcUbUe，这样可以满足发射结正偏、集电结反偏。
